1.支持基片尺寸:3英寸-8英寸;
2.支持掩膜板尺寸:4英寸-9英寸;
3.最小分辨率:0.8μm;
4.套刻精度:正面套刻 0.5μm,背面套刻 1μm;
5.曝光波长范围:350nm-450nm。
1.刻写方式:矢量扫描刻写;
2.刻写速度(数模转换 DACs 频率):5 MHz/6 MHz兼容;
3.最大加速电压:30 KV,束流:1.0 pA~50 nA;
4.刻写线宽:≤50 nm;
5.写场尺寸(像素)XY写场刻写扫描的实际像素为16 位×16位;单写场面积>1×1 mm;
6.可实现精准套刻和写场拼接,套刻拼接精度20nm(单场面积100 μm×100 μm 时)。
1.兼容最大样品尺寸≤8英寸,可实现8寸晶圆全面积分析;
2.配备W、C两种沉积气体;
3.离子束分辨率:30kV≤2.5nm;
4.电子束分辨率:15kV≤0.6nm;1kV≤0.7mm 。
1.刻蚀气体:SF6、C4F8、Ar、He、O2;
2.刻蚀材料:Si、SOI;
3.基片尺寸:8英寸及以下尺寸样品;
4.最大刻蚀深度:700μm;
5.最小加工线宽:0.4μm;
6.陡直度:90°±1°;
7.均匀性:片内≤3%,片间≤2%;
8.刻蚀比:≥100:1。
1.刻蚀气体:SF6、CF4、CHF3、Ar、He、N2、O2;
2.刻蚀材料:Si、SOI、SiN、SiO、石英等多种半导体材料或部分光学材料;
3.基片尺寸:6英寸及以下尺寸样品;
4.最小加工线宽:100nm;
5.均匀性:片内≤5%,片间≤3%。
1.基片尺寸:8英寸及以下尺寸样品;
2.可沉积薄膜类型:SiO;SiN;
3.SiO薄膜生长:可实现生长厚度为1μm,λ=1550nm; n=1.45, 片内不均匀性≤5%,粗糙度RMS≤1nm;
4.SiN薄膜生长:可实现生长厚度为500nm,λ=1550nm; n=2.0, 片内不均匀性≤5%,也可实现微米级厚度生长;
5.热台温度:200-400℃。
地址:四川省天府新区科智路999号
(天府兴隆湖实验室)
邮箱:tfxlll@xlll.cn