微纳加工

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微纳加工 微纳检测 微纳器件 光学镀膜 其他产品
实验室已形成较全面的微纳加工能力,在光刻技术方面能实现标准晶圆定制图形化光刻、无掩膜光刻和工业级灰度光刻,能够实现最小特征尺寸为300nm的结构加工,CD均匀性优于60nm;在刻蚀技术方面可以实Si、SiO2、Si3N4、SOC、SOI等多种的刻蚀,兼容8寸及以下的晶圆,刻蚀片内均匀性≤5%,片间均匀性≤3%选择比最大可实现≥10:1;在薄膜沉积技术方面能够沉积Cr、Ti、Cu、Ag、Au、Ge、Al、SiO2、Si、Si3N4等材料,片内不均匀性≤5%,可兼容8寸及以下不规则衬底。基于现有的工艺基础已经加工出以下微纳器件:柱面微透镜、激光扩散片、接近接触式掩膜、DOE多台阶光学器件、液晶元件、超构表面等。
光刻
产品简介
利用光学系统和机械对准进行曝光,可将掩模板的图形复制到基片光刻胶上,用于选择性阻挡材料沉积或材料刻蚀;可应用于MEMS,微流控,LED,先进封装等产品器件的图形化加工;支持全自动对准光刻,可实现晶圆级高效率高精度图形复制。
能力 / 指标

1.支持基片尺寸:3英寸-8英寸; 

2.支持掩膜板尺寸:4英寸-9英寸; 

3.最小分辨率:0.8μm; 

4.套刻精度:正面套刻 0.5μm,背面套刻 1μm; 

5.曝光波长范围:350nm-450nm。

产品简介
使用电子束在表面上制造图样,可以加工纳米级结构图型,用于各种纳米结构及器件、光刻掩膜版以及纳米压印模板等的加工。
能力 / 指标

1.刻写方式:矢量扫描刻写;

2.刻写速度(数模转换 DACs 频率):5 MHz/6 MHz兼容;

3.最大加速电压:30 KV,束流:1.0 pA~50 nA;

4.刻写线宽:≤50 nm;

5.写场尺寸(像素)XY写场刻写扫描的实际像素为16 位×16位;单写场面积>1×1 mm;

6.可实现精准套刻和写场拼接,套刻拼接精度20nm(单场面积100 μm×100 μm 时)。


刻蚀
产品简介
将离子束聚焦到亚微米甚至纳米量级,通过偏转和加速系统控制离子束扫描,实时观测下实现微纳结构加工。
能力 / 指标

1.兼容最大样品尺寸≤8英寸,可实现8寸晶圆全面积分析;

2.配备W、C两种沉积气体;

3.离子束分辨率:30kV≤2.5nm;

4.电子束分辨率:15kV≤0.6nm;1kV≤0.7mm 。


产品简介
深硅刻蚀可采用BOSCH工艺或非BOSCH工艺将目标掩膜图形结构转移至衬底上,实现微纳结构的加工。深硅刻蚀作为微纳加工中非常重要的一种刻蚀工艺,可应用于MEMS器件和TSV通孔等深结构的刻蚀。
能力 / 指标

1.刻蚀气体:SF6、C4F8、Ar、He、O2

2.刻蚀材料:Si、SOI

3.基片尺寸:8英寸及以下尺寸样品;

4.最大刻蚀深度:700μm;

5.最小加工线宽:0.4μm;

6.陡直度:90°±1°;

7.均匀性:片内≤3%,片间≤2%;

8.刻蚀比:≥100:1。


镀膜
产品简介
在高真空条件下,使用热电子轰击材料和高温加热蒸发材料,使材料挥发后沉积到样品表面,‌形成薄膜。‌支持多种材料的镀膜需求。
能力 / 指标

1.刻蚀气体:SF6、CF4、CHF3、Ar、He、N2、O2

2.刻蚀材料:Si、SOI、SiN、SiO、石英等多种半导体材料或部分光学材料;

3.基片尺寸:6英寸及以下尺寸样品;

4.最小加工线宽:100nm;

5.均匀性:片内≤5%,片间≤3%。


产品简介
等离子体增强型化学气相沉积是一种利用电磁场产生放电,通过电子碰撞使通入气体分解成高活性的粒子,从而在气相和基板表面发生化学反应而沉积薄膜的方法。它可广泛应用于半导体器件的制造,是栅极电介质、钝化层和互连器件的主要沉积方法。
能力 / 指标

1.基片尺寸:8英寸及以下尺寸样品;

2.可沉积薄膜类型:SiO;SiN;

3.SiO薄膜生长:可实现生长厚度为1μm,λ=1550nm; n=1.45, 片内不均匀性≤5%,粗糙度RMS≤1nm;

4.SiN薄膜生长:可实现生长厚度为500nm,λ=1550nm; n=2.0, 片内不均匀性≤5%,也可实现微米级厚度生长;

5.热台温度:200-400℃。


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